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NVD3055-150	文件：353.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, 文件：353.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD3055-150	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，60V，9A，150mΩ，单 N 沟道，DPAK Automotive Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD3055-150T4G	文件：112.93 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：112.93 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD3055-150	文件：67.44 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 9.0 A, 60 V 文件：67.44 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD3055-150	文件：112.93 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：112.93 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD3055-150	文件：259.709 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 150mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：259.709 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
9
PD Max (W)：
28.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
150
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
7.1
Ciss Typ (pF)：
200
Package Type：
DPAK-3

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