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NSVMMBTH10LT1G中文资料VHF/UHF Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NSVMMBTH10LT1G |
| 参数属性 | NSVMMBTH10LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 |
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
| 人工找货 | NSVMMBTH10LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSVMMBTH10LT1G规格书详情
简介
NSVMMBTH10LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由ONSEMI制造生产的NSVMMBTH10LT1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
NSVMMBTH10LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23-3 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
15+ |
SOT23 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
36643 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23-3 |
9000 |
只做原装 假一赔十 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23 |
100 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
24000 |
原装正品现货,实单可谈,量大价优 |
询价 |
