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NSVMMBT6429LT1G中文资料Amplifier Transistors数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NSVMMBT6429LT1G |
| 参数属性 | NSVMMBT6429LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3 |
| 功能描述 | Amplifier Transistors |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 14:09:00 |
| 人工找货 | NSVMMBT6429LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSVMMBT6429LT1G规格书详情
简介
NSVMMBT6429LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的NSVMMBT6429LT1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
NSVMMBT6429LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 100µA，5V
- 频率 - 跃迁：
700MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
25000 |
只做进口原装假一罚百 |
询价 | ||
ON |
1549+ |
SOT-23 |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
SOT-23 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
2025+ |
SOT-23 |
55740 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ONSEMI |
21+ |
SOT-23 |
20000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 |
