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NSVMMBTH10LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NSVMMBTH10LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
25V
- 频率 - 跃迁:
650MHz
- 功率 - 最大值:
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 4mA,10V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
供应商
- 企业:
深圳市得捷芯城科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
肖先生
- 手机:
19076157484
- 询价:
- 电话:
0755-82538261
- 传真:
0755-82539558
- 地址:
深圳市福田区福田街道福虹路9号世贸广场A座5楼 501B
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