| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
NSVMMBTH10LT1G
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
ON
- 库存数量：
9000
- 产品封装：
SOT-23-3
- 生产批号：
24+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-8-2 14:26:00
首页>NSVMMBTH10LT1G>芯片详情
NSVMMBTH10LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ON
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
NSVMMBTH10LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
供应商
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