订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>NSVMMBTH81LT1G>芯片详情
NSVMMBTH81LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:NSVMMBTH81LT1G品牌:ON
只做原装 假一赔十
NSVMMBTH81LT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。制造商ON/onsemi生产封装SOT-23/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的NSVMMBTH81LT1G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
NSVMMBTH81LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
20V
- 频率 - 跃迁:
600MHz
- 功率 - 最大值:
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 5mA,10V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
50mA
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23
- 描述:
SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
供应商
相近型号
- NSVMMBT589LT1G
- NSVMUN5132T1G
- NSVMMBT5551M3T5G
- NSVMUN5211DW1T2G
- NSVMMBT5401WT1G
- NSVMUN5213DW1T3G
- NSVMMBT5401LT3G
- NSVMUN5214DW1T3G
- NSVMMBT5087LT1G
- NSVMUN5233DW1T3G
- NSVMMBT4401WT1G
- NSVMUN5312DW1T2G
- NSVMMBT2907AWT1G
- NSVMUN531335DW1T1G
- NSVMMBT2222AM3T5G
- NSVMUN5314DW1T3G
- NSVM1MA152WKT1G
- NSVMUN5333DW1T1G
- NSVJ3910SB3T1G
- NSVMUN5334DW1T1G
- NSVJ3557SA3T1G
- NSVR0170HT1G
- NSVJ2394SA3T1G
- NSVR02100HT1G
- NSVG3117SG6T1G
- NSVR0230P2T5G
- NSVG3109SG6T1G
- NSVR0240HT1G
- NSVF5501SKT3G
- NSVF5488SKT3G
- NSVR0240P2T5G
- NSVF4009SG4T1G
- NSVR0240V2T1G
- NSVEMT1DXV6T5G
- NSVR0320MW2T1G
- NSVEMT1DXV6T1G
- NSVDTC123JET1G
- NSVR0340HT1G
- NSVDTC123EM3T5G
- NSVDTC114YM3T5G
- NSVR05F40NXT5G
- NSVDTA114EET1G
- NSVR1020MW2T1G
- NSVDAN222T1G
- NSVD4001DR2G
- NSVR351SDSA3T1G
- NSVC2020JBT3G
- NSVRB521S30T1G
- NSVBCW68GLT1G
- NSVBCP69T1G