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NSVMMBT6517LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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LMBT6517LT1G	文件：247.4 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistorsNPNSiliconRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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MMBT6517LT1	文件：99.57 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistor(NPNSilicon) HighVoltageTransistor NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBT6517LT1	文件：169.35 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT6517LT1G	文件：162.54 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor NPNSilicon Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMMBT6517LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3

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更多NSVMMBT6517LT1G供应商更新时间2024-5-21 15:16:00

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