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NSVBSS63LT1G

High Voltage Transistor

ONSEMI

安森美半导体

NSVBSS63LT1G

High Voltage Transistor

文件:87.45 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSVBSS63LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

BSS63LT1

High Voltage Transistor(PNP)

PNP Silicon

文件:81.36 Kbytes 页数:4 Pages

Motorola

摩托罗拉

BSS63LT1

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

PNP Silicon

文件:23.2 Kbytes 页数:2 Pages

LRC

乐山无线电

BSS63LT1

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

High Voltage Transistors PNP Silicon

文件:60.8 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSVBSS63LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 2.5mA,25mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 25mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    95MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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SOT-23(TO-236)
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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ON/安森美
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NA
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可订货 请确认
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onsemi
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TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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更多NSVBSS63LT1G供应商 更新时间2025-11-25 23:00:00