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NSVDTC123EM3T5G	文件：102.19 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：102.19 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVDTC123EM3T5G	文件：103.57 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k 文件：103.57 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVDTC123EM3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS NPN 50V 0.1A SOT723	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S-LDTC123EM3T5G	文件：1.46991 Mbytes Page：14 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：1.46991 Mbytes 页数：14 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
NSVDTC123EM3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723

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