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NSVBCH807-40LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S-LBC807-40LT1G	文件：1.27262 Mbytes Page：10 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：1.27262 Mbytes 页数：10 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BC807-40LT1	文件：90.58 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：90.58 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BC807-40LT1	文件：51.52 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：51.52 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BC807-40LT1	文件：59.24 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：59.24 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVBCH807-40LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NSVBCH807-40LT1G	onsemi(安森美)	24+	SOT-23(TO-236)	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	NSVBCH807-40LT1G	ON	24+	SOT-23 (TO-236)	25000	ON全系列可订货	询价
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更多NSVBCH807-40LT1G供应商更新时间2025-10-9 23:00:00

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