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NSVBCP69T1G

PNP Silicon Epitaxial Transistor

PNP Silicon Epitaxial Transistor This PNP Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low voltage, high current applications. The device is housed in the SOT−223 package, which is designed for medium power surface mount applications. Features • High Current: IC = −1.0 A • The SOT−223 P

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ONSEMI

安森美半导体

NSVBCP69T1G

PNP Silicon Epitaxial Transistor

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NSVBCP69T1G

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223

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安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSVBCP69T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    85 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 1A SOT223

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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