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NSVBCP69T1G中文资料PNP Silicon Epitaxial Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NSVBCP69T1G |
参数属性 | NSVBCP69T1G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 1A SOT223 |
功能描述 | PNP Silicon Epitaxial Transistor |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 11:30:00 |
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NSVBCP69T1G规格书详情
简介
NSVBCP69T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NSVBCP69T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
NSVBCP69T1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
85 @ 500mA,1V
- 频率 - 跃迁:
60MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS PNP 20V 1A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装,请咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT223 |
37724 |
ONSEMI/安森美全新特价NSVBCP69T1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
200000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-223-4 / TO-261-4D |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 |