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Marking：NSF0612A0；Package：SOT429-2；1200 V, 60 mΩ, N-channel SiC MOSFET 1.Generaldescription TheNSF060120L3A0isaSiliconCarbidebased1200VpowerMOSFETinawell-established3- pinTO-247-3LplasticpackageforthroughholePCBmountingtechnology.TheexcellentRDSon temperaturestabilitycombinedwithitsfastswitchingspeedmakesitaproductofchoice | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：NSF0612A0；Package：SOT8071-1；1200 V, 60 mΩ, N-channel SiC MOSFET 1.Generaldescription TheNSF060120L4A0isaSiliconCarbidebased1200VpowerMOSFETinawell-established 4-pinTO-247-4plasticpackageforthroughholePCBmountingtechnology.TheexcellentRDSon temperaturestabilitycombinedwithitsfastswitchingspeedmakesitaproductofchoicein | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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