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NRVBM140T3G	文件：163.32 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBM140T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-216AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDR140T3G	文件：277.56 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	FS First Silicon Co., Ltd	FS
LMBR140T3G	文件：261.97 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierPlasticSOD??23Package	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MBRA140T3	文件：6.37993 Mbytes Page：2 Pages	CHIPSCHOTTKYBARRIERDIODES FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
MBRA140T3	文件：106.31 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA140T3	文件：71.44 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
MBRA140T3	文件：135.61 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SMAPowerSurfaceMountPackage ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MBRA140T3	文件：72.11 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA140T3G	文件：99.84 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSURFACEMOUNT	EIC EIC	EIC
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MBRA140T3G	文件：107.18 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA140T3G	文件：301.4 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRM140T3	文件：69.83 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRM140T3	文件：94.68 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERES,40VOLTS POWERMITE®PowerSurfaceMountPackage TheSchottkyPowermite®employstheSchottkyBarrierprinciplewithabarriermetalandepitaxialconstructionthatproducesoptimalforwardvoltagedrop−reversecurrenttradeoff.Theadvancedpackagin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBRS140T3	文件：56.38 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERE,40VOLTS SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS140T3	文件：71.23 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolaritypr	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MBRS140T3G	文件：63.3 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERE,40VOLTS SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
NRVBM140T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
POWERMITE®
包装：
散装
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-216AA
供应商器件封装：
Powermite
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE

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