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NRVBS540T3G	文件：196.6 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier The MBRS540T3 employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and p 文件：196.6 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS540T3G	文件：112.8 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：112.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS540T3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS540T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NRVBS540T3G供应商更新时间2025-10-5 10:01:00