NRVBS3200T3G规格书原装现货安森美半导体-114ic电子网

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NRVBS3200T3G	文件：185.06 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：185.06 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS3200T3G	文件：96.88 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：96.88 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NRVBS3200T3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS3200T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS3200T3G-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NRVBS3200T3G供应商更新时间2025-11-20 23:00:00