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NRVBS410LT3G	文件：182.03 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：182.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS410LT3G	文件：67.89 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：67.89 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS410LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 4A 10V SMB2	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS410LT3	文件：60.23 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：60.23 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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