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MBRA140T3G	文件：107.18 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRA140T3G	文件：301.4 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRA140T3G	文件：99.84 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT	EIC EIC
MBRA140T3G	文件：106.31 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRA140T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-214AC，SMA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FDR140T3G	文件：277.56 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	FS First Silicon Co., Ltd
LMBR140T3G	文件：261.97 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierPlasticSOD??23Package	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MBRA140T3	文件：106.31 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRA140T3	文件：71.44 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司
MBRA140T3	文件：6.37993 Mbytes Page：2 Pages	CHIPSCHOTTKYBARRIERDIODES FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司
MBRA140T3	文件：135.61 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SMAPowerSurfaceMountPackage ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MBRA140T3	文件：72.11 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRM140T3	文件：94.68 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERES,40VOLTS POWERMITE®PowerSurfaceMountPackage TheSchottkyPowermite®employstheSchottkyBarrierprinciplewithabarriermetalandepitaxialconstructionthatproducesoptimalforwardvoltagedrop−reversecurrenttradeoff.Theadvancedpackagin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRM140T3	文件：69.83 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRM140T3G	文件：69.83 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRM140T3G	文件：163.32 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRS140T3	文件：56.38 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERE,40VOLTS SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRS140T3	文件：71.23 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolaritypr	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MBRS140T3G	文件：56.38 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERE,40VOLTS SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MBRS140T3G	文件：63.3 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER1.0AMPERE,40VOLTS SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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产品属性

产品编号：
MBRA140T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
SMA
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA

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