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NPTB00004A数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

NPTB00004A

参数属性

NPTB00004A 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC

功能描述

GaN Amplifier 28 V, 5 W, DC - 6 GHz

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 19:14:00

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NPTB00004A规格书详情

描述 Description

The NPTB00004A GaN HEMT is a wideband transistor optimized for DC-6 GHz operation. This device has been designed for CW, pulsed, and linear operation with output power levels to 5W (37 dBm) in an industry standard surface mount SOIC plastic package. At frequencies below 3GHz, the NPTB00004A is a drop in replacement for the NPTB00004. For load-pull data and non-linear models, please send an e-mail to applications@macom.com.

特性 Features

·Broadband Operation from DC-6 GHz
·Drop in Replacement for NPTB00004
·High Drain Efficiency (>55%)
·Industry Standard Plastic Package
·28V Operation

应用 Application

·Aerospace and Defense
·Broadband General Purpose
·Defense Communications
·ISM
·VHF/UHF/L-Band Radar
·Wireless Infrastructure

技术参数

  • 产品编号:

    NPTB00004A

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    0Hz ~ 6GHz

  • 增益:

    14.8dB

  • 额定电流(安培):

    1.4A

  • 功率 - 输出:

    4W

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC

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