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NPT1012B数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

NPT1012B

参数属性

NPT1012B 包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

功能描述

Gallium Nitride 28V, 25W RF Power Transistor

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:36:00

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NPT1012B规格书详情

描述 Description

For load-pull data and non-linear models, please send an e-mail to applications@macom.com.

特性 Features

·Optimized for Broadband Operation from DC-4000MHz
·High Efficiency from 14 - 28V
·10-20W P3dB CW Power from 30-1000MHz in application board with >50% drain efficiency
·16-20W P3dB CW Power from 1000-2500MHz in application board with >45% drain efficiency
·25W P3dB CW Power at 3000MHz
·4.0 °C/W RTH with Maximum TJRating of 200 °C
·Robust up to 10:1 VSWR mismatch at all angles with no device damage at 90 °C flange
·Subject to EAR99 Export Control

技术参数

  • 制造商编号

    :NPT1012B

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Theta J-C

    :4C/W

  • Gain

    :13dB

  • PSAT

    :25W

  • Supply Voltage

    :28V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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