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NPT1012中文资料Gallium Nitride 28V, 25W RF Power Transistor数据手册MACOM规格书

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厂商型号

NPT1012

参数属性

NPT1012 包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

功能描述

Gallium Nitride 28V, 25W RF Power Transistor

制造商

MACOM Tyco Electronics

数据手册

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更新时间

2025-9-27 9:02:00

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技术参数

  • 产品编号:

    NPT1012B

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    0Hz ~ 4GHz

  • 增益:

    13dB

  • 描述:

    HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

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