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NPT1004数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

NPT1004

参数属性

NPT1004 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC

功能描述

Gallium Nitride 28V, 45W RF Power Transistor

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:04:00

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技术参数

  • 产品编号:

    NPT1004D

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    0Hz ~ 4GHz

  • 增益:

    13dB

  • 额定电流(安培):

    9.5A

  • 功率 - 输出:

    37dBm

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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