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IXTA90N055T	文件：299.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTP90N055T	文件：295.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NP90N055MUK	文件：112.33 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=4900pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP90N055VDG	文件：337.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP90N055VDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) RDS(on)2=10.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) •Highcurrent	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N055VUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N055VUK	文件：111.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP90N055VUK	文件：278.27 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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