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NP90N055VUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP90N055VUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication

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瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    NP90N055VUK-E1-AY

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP90N055VUK-E1-AY供应商 更新时间2024-5-1 8:39:00