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NP90N055VUK-E2-AY	文件：111.7 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N055VUK-E2-AY	文件：278.27 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP90N055VUK-E2-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication

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NP90N055VUK-E2-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP90N055VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplication

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP90N055VUK-E2-AY
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NP90N055VUK-E2-AY供应商更新时间2024-5-1 9:30:00

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