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NP90N06VDK	文件：442.68 Kbytes Page：9 Pages	60 V – 90 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description NP90N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N06VDK	文件：374.55 Kbytes Page：9 Pages	N-channel Power MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N06VDK_V01	文件：442.68 Kbytes Page：9 Pages	60 V – 90 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description NP90N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N06VDK-E1-AY	文件：442.68 Kbytes Page：9 Pages	60 V – 90 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description NP90N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N06VDK-E2-AY	文件：442.68 Kbytes Page：9 Pages	60 V – 90 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description NP90N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mMAX.(VGS=10V,ID=45A) LowCiss:Ciss=4000pFTYP.(VDS=25V) DesignedforautomotiveapplicationandA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N06VDK-E1-AY	文件：374.55 Kbytes Page：9 Pages	N-channel Power MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N06VDK-E2-AY	文件：374.55 Kbytes Page：9 Pages	N-channel Power MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
90N06	文件：137.72 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrent?밒D=90A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM90N06D	文件：634.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS90N06	文件：324.83 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
KX90N06	文件：1.02305 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MS90N06	文件：485.56 Kbytes Page：6 Pages	LevelShiftingandDriverCircuits	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
NP90N06VLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N06VLG	文件：996.85 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP90N06VLK	文件：527.07 Kbytes Page：9 Pages	60V??90A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SSRF90N06	文件：327.4 Kbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

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