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NP80N055PDG-E1B-AYNote	文件：354.48 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：354.48 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055PDG-E1B-AY	文件：354.48 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP80N055MDG, NP80N055NDG, and NP80N055PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance - NP80N055MDG, NP80N055NDG RDS(on)1 = 6.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) 文件：354.48 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	南麟 SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	Amphenol Advanced Sensors 14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	Amphenol Advanced Sensors 14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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更多NP80N055PDG-E1B-AYNOTE供应商更新时间2025-10-14 9:06:00