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NP80N055MDG-S18-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:354.48 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NP80N055MDG-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP80N055MDG, NP80N055NDG, and NP80N055PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance - NP80N055MDG, NP80N055NDG RDS(on)1 = 6.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

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RENESAS

瑞萨

NP9926ASR

SOP-8

南麟

NPA-100B-015A

14-SOIC 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

NPA-500B-005G

14-SMD 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

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