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NP36P04KDG-E2-AYNote	文件：299.6 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：299.6 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP36P04KDG-E2-AY	文件：189.66 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance 文件：189.66 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
nP3750PBC-400	文件：0 bytes Page：0 Pages	AMCC BGA	AMCC Applied Micro Circuits Corporation 上传：深圳市昂芯微科技有限公司	AMCC
nP3750PBC-700	文件：0 bytes Page：0 Pages	AMCC BGA	AMCC Applied Micro Circuits Corporation 上传：深圳市昂芯微科技有限公司	AMCC
NP40N10LG	文件：0 bytes Page：0 Pages	南麟 TO-252	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟

更多NP36P04KDG-E2-AYNOTE供应商更新时间2022-6-12 10:12:00