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NP36P04KDG-E1-AYNote	文件：299.6 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP36P04KDG-E1-AY	文件：189.66 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP36P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=23.5mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP36P04KDG-E1-AY

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Page：7 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP36P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−18A) RDS(on)2=23.5mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−18A) •Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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更多NP36P04KDG-E1-AYNOTE供应商更新时间2025-5-22 18:05:00

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