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NGB8204NT4G

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

文件:150.26 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8204NT4G

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

文件:127.77 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8204NT4G

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

NGB8204NT4

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

文件:150.26 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NGB8204NT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 4V,15A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    IGBT 430V 18A 115W D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
SOT-263
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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ON/安森美
17+
D2PAK3LEAD
31518
原装正品 可含税交易
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onsemi
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D2PAK
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D2PAK3LEAD
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更多NGB8204NT4G供应商 更新时间2026-2-3 14:01:00