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NGB8204NT4	文件：150.26 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8204NT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8204NT4G	文件：150.26 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8204NT4G	文件：127.77 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NGB8204NT4
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 4V，15A
输入类型：
逻辑
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
IGBT 430V 18A 115W D2PAK

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