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NGB8207NT4G	文件：91.9 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 A, 365 V, N?묬hannel D2PAK 文件：91.9 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGB8207NT4G	文件：132.09 Kbytes Page：7 Pages	Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK 文件：132.09 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGB8207NT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGD8201ANT4G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	LITTELFUSE 力特上传：深圳市纳艾斯科技有限公司	LITTELFUSE
NGTB15N120FL2W	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	ON 上传：深圳诚思涵科技有限公司	ON

产品属性

产品编号：
NGB8207NT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 4V，20A
输入类型：
逻辑
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
IGBT 365V 20A 165W D2PAK

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