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NE856M13中文资料PDF规格书

NE856M13
厂商型号

NE856M13

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

文件大小

19.26 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 8:03:00

NE856M13规格书详情

DESCRIPTION

The NE856M13 transistor is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figure, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NECs new low profile/flat lead style M13 package is ideal for todays portable wireless applications. The NE856 is also available in chip, Micro-x, and eight different low cost plastic surface mount package styles.

FEATURES

• NEW MINIATURE M13 PACKAGE:

– Small transistor outline –

1.0 X 0.5 X 0.5 mm

– Low profile / 0.50 mm package height

– Flat lead style for better RF performance

• LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.4 dB at 1 GHz

• HIGH COLLECTOR CURRENT:

IC MAX = 100 mA

产品属性

  • 型号:

    NE856M13

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

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