NE856M03中文资料PDF规格书
NE856M03规格书详情
DESCRIPTION
The NE856M03 transistor is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figure, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NECs new low profile/flat lead style M03 package is ideal for todays portable wireless applications. The NE856 is also available in chip, Micro-x, and eight different low cost plastic surface mount package styles.
FEATURES
• NEW M03 PACKAGE:
• Smallest transistor outline package available
• Low profile/0.59 mm package height
• Flat lead style for better RF performance
• LOW NOISE FIGURE:
NF = 1.4 dB at 1 GHz
• HIGH COLLECTOR CURRENT:
ICMAX = 100 mA
产品属性
- 产品编号：
NE856M03-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
4.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值：
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-623F
- 供应商器件封装：
3 针 SuperMiniMold（M03）
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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