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NE72118	文件：46.7 Kbytes Page：4 Pages	C TO X BAND AMPLIFIER C TO X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MESFET DESCRIPTION The NE72118 is a high performance gallium arsenide metal semiconductor field effect transistor (MESFET), housed in a low cost plastic surface mount package (SOT 23 style). This devices low phase noise and high fT make it an excellent choice for oscillator applications on a digital LNB 文件：46.7 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE72118	文件：201.93 Kbytes Page：18 Pages	GaAs MES FET C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • High Power Gain: GS = 5.5 dB TYP. @f = 12 GHz • Gate Length: Lg = 0.8 mm (recessed gate) • Gate Width: Wg = 330 mm • 4 pins super mini mold • Tape & reel packaging only available 文件：201.93 Kbytes 页数：18 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE72118	文件：300 bytes Page：1 Pages	C TO X BAND AMPLIFIER C TO X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MESFET	Renesas 瑞萨	Renesas
NE72118-T1	文件：46.7 Kbytes Page：4 Pages	C TO X BAND AMPLIFIER C TO X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MESFET DESCRIPTION The NE72118 is a high performance gallium arsenide metal semiconductor field effect transistor (MESFET), housed in a low cost plastic surface mount package (SOT 23 style). This devices low phase noise and high fT make it an excellent choice for oscillator applications on a digital LNB 文件：46.7 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE72118-T1	文件：201.93 Kbytes Page：18 Pages	GaAs MES FET C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • High Power Gain: GS = 5.5 dB TYP. @f = 12 GHz • Gate Length: Lg = 0.8 mm (recessed gate) • Gate Width: Wg = 330 mm • 4 pins super mini mold • Tape & reel packaging only available 文件：201.93 Kbytes 页数：18 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
NE72118
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
C TO X BAND AMPLIFIER C TO X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MESFET

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