首页>NE3517S03-T1C-A>规格书详情
NE3517S03-T1C-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3517S03-T1C-A |
| 参数属性 | NE3517S03-T1C-A 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 20GHZ S03 |
| 功能描述 | K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
310.74 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-17 8:00:00 |
| 人工找货 | NE3517S03-T1C-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3517S03-T1C-A规格书详情
NE3517S03-T1C-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3517S03-T1C-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3517S03-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
20GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.7dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S03
- 描述：
FET RF 4V 20GHZ S03
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2023+ |
假一赔十 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
S03 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
274 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
RENESAS |
1310+ |
SMT-86 |
1424 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
S03 |
2000 |
询价 | |||
NEC |
24+ |
SMT-86 |
3879 |
原装正品 特价现货(香港 新加坡 日本) |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2021+ |
SMT-86 |
3000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SMT-86 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 |
