90째 180째 Solder Dip Socket (1.27mm Pitch)

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YAMAICHI

P 沟道增强型场效应晶体管，-60V，-0.18A，5Ω

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0605 在需要高达0.18A直流电的大多数应用中可轻松使用，并且可提供高达1A的脉冲电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。 •-0.18 A, -60 V. RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= -10 V.\n•电压控制的P沟道小信号开关。\n•高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。\n•高饱和电流。;

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道增强型场效应晶体管，-60V，-0.12A，10Ω

此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0610在要求DC高达120mA的多数应用中可轻松使用，并且可提供高达1A的电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。 •-0.12 A, -60 V. RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 20 Ω @ VGS = -4.5 V\n•电压控制P沟道小信号开关\n•高密度设计可实现低RDS(ON)\n•高饱和电流;

ONSEMI

安森美半导体