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SGW10N60	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGW10N60A	文件：353.85 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGW10N60A	文件：401.72 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGW10N60RUF	文件：541.97 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW10N60RUFD	文件：596.68 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIF10N60C	文件：419.26 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 赛恩半导体深圳市赛恩半导体有限公司	SISEMIC
SIHJ10N60E	文件：156.43 Kbytes Page：7 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SKB10N60	文件：319.38 Kbytes Page：14 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ·75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ·Shortcircuitwithstandtime–10ms ·Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ·NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SKB10N60A	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ●Shortcircuitwithstandtime–10μs ●Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ●NPT-Technologyfor600Va	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKB10N60A	文件：1.1487 Mbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKP10N60	文件：319.38 Kbytes Page：14 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ·75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ·Shortcircuitwithstandtime–10ms ·Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ·NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKP10N60A	文件：368.81 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SKP10N60A	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ●Shortcircuitwithstandtime–10μs ●Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ●NPT-Technologyfor600Va	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SLB10N60C	文件：290.81 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLF10N60C	文件：1.22464 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI

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详细参数

型号：
NDF10N60ZG
功能描述：
MOSFET NFET T0220FP 600V 10A .65
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	NDF10N60ZG		1321+ROHS全新	原厂原封优势特卖	21868	原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权	询价
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