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SGW10N60	文件：401.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution 文件：401.72 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGW10N60	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGW10N60	文件：506.86 Kbytes Page：12 Pages	Fast S-IGBT in NPT-technology 文件：506.86 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGW10N60A	文件：401.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution 文件：401.72 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGW10N60A	文件：353.85 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation 文件：353.85 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SGW10N60RUF	文件：541.97 Kbytes Page：7 Pages	Short Circuit Rated IGBT 文件：541.97 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SGW10N60RUFD	文件：596.68 Kbytes Page：8 Pages	Short Circuit Rated IGBT 文件：596.68 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SGW10N60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation	Infineon 英飞凌	Infineon
SGW10N60RUF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Short Circuit Rated IGBT	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SGW10N60AFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 92W TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
SGW10N60
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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