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SKW10N60A	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode ● 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses ● Short circuit withstand time – 10 μs ● Designed for: - Motor controls - Inverter ● NPT-Technology for 600V a 文件：438.56 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKW10N60A	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKW10N60A	文件：368.81 Kbytes Page：14 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：368.81 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SLB10N60C	文件：290.81 Kbytes Page：6 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：290.81 Kbytes 页数：6 Pages	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
SLF10N60C	文件：1.22464 Mbytes Page：7 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：1.22464 Mbytes 页数：7 Pages	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI
SLF10N60U	文件：349.18 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：349.18 Kbytes 页数：7 Pages	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI

详细参数

型号：
SKW10N60A
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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