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SKW20N60HS	文件：358.3 Kbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature 文件：358.3 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKW20N60HS	文件：352.06 Kbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation 文件：352.06 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKW20N60HS_08	文件：352.06 Kbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation 文件：352.06 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKW20N60HS	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. ·30% lower E off compared to previous generation\n ·Short circuit withstand time – 10μs\n ·Designed for operation above 30kHz\n ·High ruggedness, temperature stable behaviour\n ·Pb-free lead plating; RoHS compliant\n ·Qualified according to JEDEC for target applications;	Infineon 英飞凌	Infineon
SKW20N60HSFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 36A 178W TO247-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Switching Frequency min max：
30.0kHz 100.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
20.0A
IC(@25°) max：
36.0A
ICpuls max：
80.0A
Ptot max：
178.0W
VCE(sat) ：
3.5V
Eon ：
0.6mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.36mJ
td(on) ：
17.0ns
tr ：
13.0ns
td(off) ：
222.0ns
tf ：
13.0ns
QGate ：
100.0nC
IF max：
40.0A
IFpuls max：
80.0A
VF ：
1.5V
Qrr ：
730.0nC
Irrm ：
16.0A
VCE max：
600.0V

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