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Infineon(英飞凌)TO-247

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)标准封装

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深圳市诺美思科技有限公司

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Infineon原厂封装

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Infineon(英飞凌)标准封装

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Infineon(英飞凌)N/A

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INFINEON/英飞凌TO-247

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专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优

深圳市东来宝电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO247

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郑重承诺只做原装进口现货

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INFINEON原厂封装

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Infineon(英飞凌)标准封装

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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

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Infineon(英飞凌)NA

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1920

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嘉宏桦电子(深圳)有限公司

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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

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SKW20N60功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SKW20N60_08制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

SKW20N60FKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 40A 179W TO247-3

SKW20N60HS功能描述:IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SKW20N60HS_08制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation

SKW20N60HSFKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 36A 178W TO247-3