| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-247 |
14456 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
8291 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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17年
留言
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Infineon原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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12年
留言
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INFINEONPG-TO247- |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO247 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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infineonTO-3P |
16800 |
24+ |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
9855 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
9000 |
26+ |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO247 |
22500 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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12年
留言
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INFINEON原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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17年
留言
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3000 |
24+ |
自己现货 |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20000 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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3年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
3560 |
25+ |
原装现货,市场最低价 |
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17年
留言
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INF |
1920 |
24+ |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
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5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
公司只做原装,可来电咨询 |
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INFINEONTO-247 |
50 |
25+ |
只做原装进口!正品支持实单! |
SKW20N60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SKW20N60图片
SKW20N60价格
SKW20N60价格:¥21.4069品牌:INF
生产厂家品牌为INF的SKW20N60多少钱,想知道SKW20N60价格是多少?参考价:¥21.4069。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SKW20N60批发价格及采购报价,SKW20N60销售排行榜及行情走势,SKW20N60报价。
SKW20N60中文资料Alldatasheet PDF
更多SKW20N60功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SKW20N60_08制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
SKW20N60FKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 40A 179W TO247-3
SKW20N60HS功能描述:IGBT 晶体管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SKW20N60HS_08制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SKW20N60HSFKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 36A 178W TO247-3




























