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NDB6030PL	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，-30V，-30A，42mΩ 这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的DC/DC转换器和高效率开关电路等低电压应用。 -30 A，-30 V。 RDS(ON) = 0.042 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS= -10 V。\n 在高温下额定的临界DC电气参数。\n 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。\n 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。\n 175°C最大结温额定值。;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDB6030L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

Compliance：
Pb-free
Status：
Active
Description：
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
16
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-30
PD Max (W)：
75
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
42
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
25
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
26
Ciss Typ (pF)：
1570
Package Type：
D2PAK-3 / TO-263-2

更多NDB603供应商更新时间2025-11-29 10:20:00