NDB6030PL中文资料P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，-30V，-30A，42mΩ数据手册ONSEMI规格书
NDB6030PL规格书详情
描述 Description
这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的DC/DC转换器和高效率开关电路等低电压应用。
特性 Features
-30 A，-30 V。 RDS(ON) = 0.042 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS= -10 V。
在高温下额定的临界DC电气参数。
耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
175°C最大结温额定值。
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDB6030PL
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：16
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-30
- PD Max (W)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：42
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：26
- Ciss Typ (pF)
：1570
- Package Type
：D2PAK-3 / TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
FAIRCHI |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-263 |
13433 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-2632L(D2PAK) |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
