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NCE82H160D	文件：309.87 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE82H160D；Package：TO-263-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H160D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 82V,ID =160A RDS(ON) 文件：309.87 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE85H25	文件：302.05 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE85H25；Package：TO-220-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE85H25 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 85V,ID =250A RDS(ON) 文件：302.05 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE85H25T	文件：387.41 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE85H25T；Package：TO-247；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE85H25T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 85V,ID =250A RDS(ON) 文件：387.41 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE8736	文件：451.54 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE8736；Package：SOP-8；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8736 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =21A RDS(ON) 文件：451.54 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE8050	文件：358.01 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：358.01 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE8060	文件：414.78 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：414.78 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE8060D	文件：343.03 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：343.03 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE8098	文件：365.88 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：365.88 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE80H11	文件：346.83 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：346.83 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE80H11D	文件：468.23 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：468.23 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

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技术参数

漏源电压(Vdss)：
80V
连续漏极电流(Id)：
150A
功率(Pd)：
220W
阈值电压(Vgs(th)@Id)：
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：
163nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：
6.5nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)：
460pF@25V
工作温度：
-55℃~+175℃@(Tj)

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