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NCE6005AN	文件：711.65 Kbytes Page：8 Pages	丝印：6005AN；Package：SOT23-6L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AN uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS=60V,ID=5A RDS(ON) 文件：711.65 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6005AR	文件：678.79 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NCE6005AR；Package：SOT-223-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS=60V,ID=5A RDS(ON) 文件：678.79 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6005AS	文件：664.64 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE6005AS；Package：SOP-8；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS=60V,ID=5A RDS(ON) 文件：664.64 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6005AR	文件：990.28 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：990.28 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE6005AS	文件：1.09197 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.09197 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE6005R	文件：951.87 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：951.87 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE6005R	文件：307.94 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：307.94 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6005S	文件：420.31 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：420.31 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6005S	文件：1.08885 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08885 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
LCE6005AR	文件：1.12868 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE6005AR；Package：SOT-223-3L；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.12868 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23-6L
Polarity：
P
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
5
VTH(V)：
1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
26
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
35
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
36
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
45
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
979
QG(nC)：
22
PD(W)：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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