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LMTM5N06	文件：1.14303 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE6005AR；Package：SOT-223-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.14303 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE6003M	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET The NCE6003M uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application.	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE6003X	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE6003XM	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOP-8
Polarity：
N
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
9
VTH(V)：
1.8
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
9.3
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
16
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
12.7
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
18
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
2750
QG(nC)：
60
PD(W)：
2.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	NCE6009XS	NK/南科功率	2025+	SOP-8	986966	国产	询价
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