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NCE20P09S	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道 MOSFET The NCE20P09S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE20P09S	文件：444.79 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：444.79 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE20P45Q	文件：0 bytes Page：0 Pages	PDFN3.3*3.3-8L	新洁能上传：深圳市芯诚微科技有公司	新洁能
NCE20P70G	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	NEC 瑞萨上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	NEC
NCE2301	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	NCE/新洁能上传：深圳市浩翊科技有限公司	NCE/新洁能

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更多NCE20P09S供应商更新时间2026-1-19 17:05:00