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NCE2304	文件：485.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：485.24 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE2304	文件：350.81 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：350.81 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE2304	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NJ2304	文件：1.91657 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATION Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter ESD protection for high speed data lines to IEC61000-4-2 ESD contact discharge typical 8KV, max 15KV ESD air discharge typical 15KV, max 25KV 文件：1.91657 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
NTE2304	文件：21.45 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor High Current, High Speed Switch (Compl to NTE2314) Description: The NTE2304 is a silicon NPN transistor in a TO3P type package. Typical applications include relay drivers, high–speed inverters, converters, and other general high–current switching applications. Features: • Low Collector–Emitter Saturation Voltage • Wide ASO and Resist 文件：21.45 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
P2304U	文件：1.87705 Mbytes Page：212 Pages	solid state crowbar devices Product Description SIDACtorcomponents are solid state crowbar devices designed to protect telecom equipment during hazardous transient conditions. Capitalizing on the latest in thyristor advancements, Teccor makes SIDACtordevices with a patented ion implant technology. This technology ensures 文件：1.87705 Mbytes 页数：212 Pages	TECCOR	TECCOR

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23
Polarity：
P
BVDSS(V)：
30
ID(A)：
3.6
VTH(V)：
1.5
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
39
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
46
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
61
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
73
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
230
QG(nC)：
4
PD(W)：
1.7

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